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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
32
2.5
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 3 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
24
16
8
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
2.0
1.5
1.0
V GS = 3.5 V
V GS = 4.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 6 V
V GS = 10 V
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.5
0
8
16
24
32
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 8 A
V GS = 10 V
50
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 8 A
1.2
30
1.0
0.8
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
32
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
24
V DS = 5 V
T J = 150 o C
16
8
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
10
1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
0.1
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8878 Rev.C2
3
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